大学院工学研究院
研究キーワード
フォノン輸送制御・イメージング
,フォノン系量子干渉
,フォノン・キャリアダイナミクス
,窒化物半導体
,半導体ナノ構造
,半導体光デバイス
,光物性
研究分野
ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 / LOフォノン共鳴赤外輻射
ナノテク・材料 / 光工学、光量子科学 / フォノン系量子干渉，半導体光物性，励起子‐フォノン相互作用，ラマン分光・赤外分光
ナノテク・材料 / 結晶工学 / 窒化物半導体，III-V属半導体，励起子，電子－フォノン系エネルギーダイナミクス，紫外，赤外
経歴
2019年4月
-
現在
千葉大学 大学院 工学研究院 基幹工学専攻 電気電子工学コース 教授
2010年4月
-
2019年3月
千葉大学 大学院 工学研究科 電気電子工学コース 教授
2007年4月
-
2010年3月
千葉大学工学研究科 准教授
2001年3月
-
2007年3月
千葉大学工学部 助教授
1996年10月
-
2001年2月
広島大学工学部 助手
学歴
-
1991年3月
京都大学 工学研究科 物理工学専攻
委員歴
2021年4月
-
現在
ワイドギャップ半導体学会 学会委員 企画委員
2021年
-
現在
ICNS2023 プログラム委員会委員
2019年
-
現在
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022(Berlin, Germany) プログラム委員
2016年4月
-
現在
千葉市産業振興財団 千葉市事業可能性評価委員会
2001年4月
-
2021年3月
日本学術振興会第162委員会 委員
受賞
2020年12月
応用物理学会フォノンエンジニアリング研究グループ第4回研究会, 優秀ポスター賞,LO phonon resonant mid-IR emission from surface-metal structures on indirect electronic transition type semiconductorsK. Hayashi N. Orito K. Sekigawa N. Aihara M. Bei K. Morita Y. Ishitani
2020年12月
応用物理学会フォノンエンジニアリング研究グループ第4回研究会, 優秀ポスター賞,Analysis of phonon transport at GaInN/GaN heterointerfaces by Raman spectroscopy using simultaneous irradiation of two lasersS. Okamoto K. Ito D. Iizasa B. Ma K. Morita Y. Ishitani
2019年7月
フォノンエンジニアリング研究会, ポスター賞,価電子帯間遷移－2種LOフォノン系における量子干渉の理論解析相原望 田中大智 森田健 馬蓓 石谷善博
2016年9月
応用物理学会, 優秀論文賞石谷 善博
2016年
第8回窒化物半導体結晶成長講演会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 (2016), 研究奨励賞馬 ベイ 石谷善博
論文
Shungo Okamoto Naomichi Saito Kotaro Ito Bei Ma Ken Morita Daisuke Iida Kazuhiro Ohkawa Yoshihiro Ishitani
Applied Physics Letters 116(14) 142107-142107 2020年4月 [査読有り]
Yoshihiro Ishitani Kensuke Oki Hideto Miyake
Japanese Journal of Applied Physics 58 SCCB34 2019年 [査読有り]
Yoshihiro Ishitani Tomoyuki Aoki Hidenori Funabashi Ken Morita
Applied Physics Letters 113(19) 192105-192105 2018年11月 [査読有り]
Kensuke Oki Bei Ma Yoshihiro Ishitani
PHYSICAL REVIEW B 96(20) 205204 2017年11月 [査読有り]
Population distributions and transition fluxes of the A exciton in bulk GaN are theoretically analyzed using rate equations of states of the principal quantum number n up to 5 and the continuum. These rate equations consist of the terms of radiati...
Hironori Sakamoto Bei Ma Ken Morita Yoshihiro Ishitani
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 49(37) 35107 2016年9月 [査読有り]
Although the Fano quantum interference of one longitudinal optical (LO) phonon mode and one electronic continuum of states due to inter-valence band transition has been investigated by the Raman spectra, there is no observation of the interference...
MISC
Shigefusa F. Chichibu Yoshinao Kumagai Kazunobu Kojima Momoko Deura Toru Akiyama Munetaka Arita Hiroshi Fujioka Yasufumi Fujiwara Naoki Hara Tamotsu Hashizume Hideki Hirayama Mark Holmes Yoshio Honda Masataka Imura Ryota Ishii Yoshihiro Ishitani Motoaki Iwaya Satoshi Kamiyama Yoshihiro Kangawa Ryuji Katayama Yoichi Kawakami Takahiro Kawamura Atsushi Kobayashi Masaaki Kuzuhara Koh Matsumoto Yusuke Mori Takashi Mukai Hisashi Murakami Hideaki Murotani Satoshi Nakazawa Narihito Okada Yoshiki Saito Akira Sakai Hiroto Sekiguchi Koji Shiozaki Kanako Shojiki Jun Suda Tetsuya Takeuchi Tomoyuki Tanikawa Jun Tatebayashi Shigetaka Tomiya Yoichi Yamada
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 2019年6月
今井 大地 石谷 善博 王 新強 吉川 明彦
日本物理学会講演概要集 68(2) 859-859 2013年8月
今井 大地 石谷 善博 王 新強 草部 一秀 吉川 明彦
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 112(327) 103-108 2012年11月
InNのバンド端発光効率低下を引き起こす深い準位を介したキャリア状態遷移過程について、熱活性型状態遷移過程、非輻射性再結合中心となる欠陥へのキャリア輸送過程に着目して解析を行った。禁制帯中央付近に位置する準位を介した輻射再結合が観測されたが、主要な発光効率低減過程はフォノン放出を伴う非輻射再結合であることが分かり、電子捕獲型の欠陥が非輻射再結合中心の候補と考えられる。またn型試料とp型試料の発光強度差は少数キャリア拡散長および配位場座標系に現れる状態遷移過程の支配的活性化エネルギーの違いを...
草部 一秀 石谷 善博 吉川 明彦
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 109(288) 79-82 2009年11月
InNの物性を活かした光デバイス開発には、(1)InNおよび高In組成窒化物混晶のp型伝導制御、および(2)構造的完全性の高い量子井戸構造の作製制御が必須である。我々が研究を進めてきた、p型伝導制御と1分子層InN量子井戸による新たな展開として、InN系新規受光デバイスへの応用について提案する。特に、最近注力しているInN/InGaN/GaN非対称量子井戸構造は、QCSEを抑えた発光デバイスばかりでなく、光増感型の超高効率太第3世代型太陽電池や赤外センサーなど、受光デバイスとしても興味深い...
草部 一秀 石谷 善博 吉川 明彦
電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 109(289) 79-82 2009年11月
InNの物性を活かした光デバイス開発には、(1)InNおよび高In組成窒化物混晶のp型伝導制御、および(2)構造的完全性の高い量子井戸構造の作製制御が必須である。我々が研究を進めてきた、p型伝導制御と1分子層InN量子井戸による新たな展開として、InN系新規受光デバイスへの応用について提案する。特に、最近注力しているInN/InGaN/GaN非対称量子井戸構造は、QCSEを抑えた発光デバイスばかりでなく、光増感型の超高効率太第3世代型太陽電池や赤外センサーなど、受光デバイスとしても興味深い...
書籍等出版物
石谷善博(担当:分担執筆, 範囲:p.753 - 760)
NTS 2020年1月
吉田 貞史, 菊池 昭彦, 松田 七美男, 矢口 裕之, 明連 広昭, 石谷 善博, 金原 粲(範囲:pp. 79 – 90 pp. 260 – 295)
実教出版 2008年
講演・口頭発表等
Yoshihiro Ishitani Kensuke Oki Tsubasa Yamakawa Bojin Lin Bei Ma Ken Morita
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018年10月 [招待有り]
担当経験のある科目(授業)
2001年4月
-
2012年
光エレクトロニクス (千葉大学)
その他
ヤンゴン工科大学およびマンダレー工科大学より51名の学生・教員が参加。ヤンゴン工科大学に設立されたMyanmar-Japan Technological Development Centerに導入されたプロセス装置や計測装置に合わせたデモンストレーションおよび学生間の研究討論を行った。
2019年12/16-12/21
大学院国際学術研究院