石谷善博

研究者氏名	石谷善博
	イシタニヨシヒロ
URL	http://www.photonics.te.chiba-u.jp
所属	千葉大学
部署	大学院工学研究院
職名	教授
学位	工学修士(京都大学), 博士(工学)(京都大学)
科研費研究者番号	60291481
J-Global ID	200901064084165774

研究キーワード

フォノン輸送制御・イメージング ,フォノン系量子干渉 ,フォノン・キャリアダイナミクス ,窒化物半導体 ,半導体ナノ構造 ,半導体光デバイス ,光物性

研究分野

ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 / LOフォノン共鳴赤外輻射
ナノテク・材料 / 光工学、光量子科学 / フォノン系量子干渉，半導体光物性，励起子‐フォノン相互作用，ラマン分光・赤外分光
ナノテク・材料 / 結晶工学 / 窒化物半導体，III-V属半導体，励起子，電子－フォノン系エネルギーダイナミクス，紫外，赤外

経歴

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2019年4月

現在

千葉大学大学院工学研究院基幹工学専攻電気電子工学コース教授

2010年4月

2019年3月

千葉大学大学院工学研究科電気電子工学コース教授

2007年4月

2010年3月

千葉大学工学研究科准教授

2001年3月

2007年3月

千葉大学工学部助教授

1996年10月

2001年2月

広島大学工学部助手

学歴

1991年3月

京都大学工学研究科物理工学専攻

1989年3月

京都大学工学部物理工学科

委員歴

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2021年4月

現在

ワイドギャップ半導体学会学会委員企画委員

2021年

現在

ICNS2023 プログラム委員会委員

2019年

現在

International Workshop on Nitride Semiconductors 2022(Berlin, Germany) プログラム委員

2016年4月

現在

千葉市産業振興財団千葉市事業可能性評価委員会

2001年4月

2021年3月

日本学術振興会第162委員会委員

受賞

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2020年12月

応用物理学会フォノンエンジニアリング研究グループ第4回研究会, 優秀ポスター賞,LO phonon resonant mid-IR emission from surface-metal structures on indirect electronic transition type semiconductors
K. Hayashi N. Orito K. Sekigawa N. Aihara M. Bei K. Morita Y. Ishitani

2020年12月

応用物理学会フォノンエンジニアリング研究グループ第4回研究会, 優秀ポスター賞,Analysis of phonon transport at GaInN/GaN heterointerfaces by Raman spectroscopy using simultaneous irradiation of two lasers
S. Okamoto K. Ito D. Iizasa B. Ma K. Morita Y. Ishitani

2019年7月

フォノンエンジニアリング研究会, ポスター賞,価電子帯間遷移－2種LOフォノン系における量子干渉の理論解析
相原望田中大智森田健馬蓓石谷善博

2016年9月

応用物理学会, 優秀論文賞
石谷善博

2016年

第8回窒化物半導体結晶成長講演会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 (2016), 研究奨励賞
馬ベイ石谷善博

論文

Energy transport analysis in a Ga0.84In0.16N/GaN heterostructure using microscopic Raman images employing simultaneous coaxial irradiation of two lasers

Shungo Okamoto Naomichi Saito Kotaro Ito Bei Ma Ken Morita Daisuke Iida Kazuhiro Ohkawa Yoshihiro Ishitani

Applied Physics Letters 116(14) 142107-142107 2020年4月 [査読有り]

Statistics of excitonic energy states based on phononic-excitonic-radiative model

Yoshihiro Ishitani Kensuke Oki Hideto Miyake

Japanese Journal of Applied Physics 58 SCCB34 2019年 [査読有り]

Selective thermal radiation at longitudinal optical phonon energy under geometric condition of metal-semiconductor mesa stripe structures

Yoshihiro Ishitani Tomoyuki Aoki Hidenori Funabashi Ken Morita

Applied Physics Letters 113(19) 192105-192105 2018年11月 [査読有り]

Population decay time and distribution of exciton states analyzed by rate equations based on theoretical phononic and electron-collisional rate coefficients

Kensuke Oki Bei Ma Yoshihiro Ishitani

PHYSICAL REVIEW B 96(20) 205204 2017年11月 [査読有り]

Population distributions and transition fluxes of the A exciton in bulk GaN are theoretically analyzed using rate equations of states of the principal quantum number n up to 5 and the continuum. These rate equations consist of the terms of radiati...

Raman study of the quantum interference of multiple discrete states and a continuum of states in the phonon energy region of semiconductors: examples of p-type Ga0.5In0.5P films

Hironori Sakamoto Bei Ma Ken Morita Yoshihiro Ishitani

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 49(37) 35107 2016年9月 [査読有り]

Although the Fano quantum interference of one longitudinal optical (LO) phonon mode and one electronic continuum of states due to inter-valence band transition has been investigated by the Raman spectra, there is no observation of the interference...

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