高野 智輝, 山内 博, 飯塚 正明, 國吉 繁一, 酒井 正俊, 中村 雅一, 工藤 一浩
電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 108(59) 45-50 2008年5月29日
段差構造を利用した縦型有機電界効果トランジスタ(段差型OFET)を作製し,その静特性および動特性の評価を行った.段差型OFETは,ソースおよびドレイン電極を基板に対して斜め方向から蒸着することで,ライン状のゲート電極のエッジ部分がシャドウマスクとして働き,チャネルを形成する.チャネル長はゲート電極の膜厚程度となり,ゲート電極の膜厚を制御することで容易にチャネル長の制御が可能となる.有機半導体層にペンタセンを用い,チャネル長約1μmの素子を作製,評価した結果,50kHzという高い遮断周波数が得られた.