研究者業績

酒井 正俊

サカイ マサトシ  (Masatoshi Sakai)

基本情報

所属
千葉大学 大学院工学研究院 准教授
学位
博士(工学)(名古屋大学)

J-GLOBAL ID
200901000249250188
researchmap会員ID
5000023260

外部リンク

論文

 78
  • Chen Yi Ngu, Kaito Kozuki, Hinata Oshida, Sang Bin Lee, Raiki Hanazaki, Sayaka Kado, Kazuhiro Kudo, Masatoshi Sakai
    Applied Sciences 14(6) 2668-2668 2024年3月21日  査読有り責任著者
    Electrophotography is a digital, on-demand, dry, and page printing technique that operates based on toner particles of electronic materials using an electrostatic force and generates an electrical circuit via distribution of the toner particles. We developed a 10 μm linewidth resolution with various electronic materials, including conductors, semiconductors, and insulators, without any chemical pretreatments on the substrate films, while a 5 μm resolution was also possible for limited materials. The electrical resistivity of the printed Ag–Ni after an intense pulse light sintering was comparable to that of commercial indium tin oxide transparent films.
  • Ryosuke Ando, Ryo Watanuki, Kazuhiro Kudo, Hyuma Masu, Masatoshi Sakai
    Solids 4(3) 201-212 2023年8月1日  査読有り最終著者責任著者
    The metal–insulator transition induced by the gate electric field in the charge order phase of the α-(BEDT-TTF)2I3 single-crystal field-effect transistor (FET) structure was clearly observed near the phase transition temperature. An abrupt increase in the electrical conductance induced by the applied gate electric field was evident, which corresponds to the partial dissolution of the charge order phase triggered by the gate electric field. The estimated nominal dissolved charge order region (i.e., the gate-induced metallic region) was overestimated in 130–150 K, suggesting additional effects such as Joule heating. On the other hand, in the lower temperature region below 120 K, the corresponding dissolved charge order was several monolayers of BEDT-TTF, suggesting that it is possible to dissolve the charge order phase within the bistable temperature region.
  • Tomoaki Mashiko, Koki Takano, Akira Kaino, Sou Kuromasa, Shintaro Fujii, Tatsuya Omori, Masatoshi Sakai, Kazuhiro Kudo, Hirofumi Mino
    physica status solidi (a) 220 230014-1-230014-7 2023年6月6日  査読有り責任著者
  • Weisong LIAO, Akira KAINO, Tomoaki MASHIKO, Sou KUROMASA, Masatoshi SAKAI, Kazuhiro KUDO
    IEICE Transactions on Electronics E106-C(6) 236-239 2023年6月  査読有り責任著者
  • Fumiya Sawamura, Chen Yi Ngu, Raiki Hanazaki, Kaito Kozuki, Sayaka Kado, Masatoshi Sakai, Kazuhiro Kudo
    Applied Sciences 12(19) 9616-9616 2022年9月25日  査読有り責任著者
    Printed electronics are a set of additive manufacturing methods for creating future flexible electronics on thin polymeric sheets. We proposed the toner-type, dry, page-printing of Ag–Ni composite conductive particles on flexible plastic sheets without pre-treatment. No chemical solvents are necessary to compose the inks of the electronic materials used for the toner-type printing, and no chemical treatment is required for the plastic film substrate surface. In addition, multilayer printing is simple when using toner printing because previously printed materials do not need to be resolved; furthermore, composing the thick films of the electronic materials is relatively simple. In this study, we fabricated an Ag–Ni composite toner to improve the fluidity of the toner particles compared to bare Ag particles. We successfully printed IC peripheral circuits at a resolution of 0.20 mm and demonstrated that the actual electrical circuit pattern can be formed using our method.

MISC

 121
  • 岡本 樹宜, 井上 敦夫, 城寶 祐輝, 酒井 正俊, 山内 博, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 111(369) 41-44 2011年12月21日  
    本研究では、ガラス基板およびポリイミド基板上にTTC_<18>-TTF FETをホットプレス法により作製した。ホットプレス法とは、2枚の基板で挟んだ有機半導体粉末を加熱溶融しながら加圧し、基板間に結晶を成長させる印刷プロセスである。従来のプロセスでは、有機半導体材料のインク化に必要な有機溶媒の排出が問題であったが、本プロセスでは、インク化を経ずに印刷できることが特徴である。TTC_<18>-TTFをテスト材料として用いたFETでは、キャスト法により作製したFETと比較して正孔移動度に7倍の向上が見られた。また、ポリイミド基板を用いたTTC_<18>-TTF FETにおいて、曲率半径5mmの曲げに対する正孔移動度の劣化は4%以下であった。
  • 吹山 雅浩, 山内 博, 飯塚 正明, 酒井 正俊, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 111(302) 31-36 2011年11月18日  
    有機トランジスタを低駆動電圧、大電流で動作させるためには短チャネル化が有効である。そこで我々は、段差構造を利用することで容易にサブミクロン長の短チャネルを実現することができる段差型有機トランジスタ(SVC-OFET)を作製し、その素子特性を調べた。特に本研究では、段差を形成する手段としてナノインプリント法を用いた。ナノインプリント法は微細加工を比較的簡単に行うことができるため、SVC-OFETを簡便に作製することができる。SVC-OFETの有機半導体層には、蒸着法で成膜したペンタセンと塗布法により成膜したTIPS-ペンタセンの二種類を用いており、各素子ともにFET動作を確認することができた。
  • 花田 光聡, 酒井 正俊, 石黒 雅人, 松原 亮介, 山内 博, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 111(236) 27-30 2011年10月11日  
    これまで我々は、有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)を活性層とした電界効果トランジスタ(FET)を作製し、誘電応答の温度依存性の測定から280K以下の温度領域で強誘電性を見出した。そこで(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおいて、試料をゲート電圧により分極させた上で熱刺激電流(TSC)を測定し、この試料における自発分極の有無を検証した。その結果、ポーリングゲート電圧の極性の反転に対して対称で280K付近にピークを持つTSCが得られた。このことは、280K以下で自発分極が存在すること、及びこの温度を境に自発分極が解消することを示している。得られたTSCと誘電特性との間に見出された対応関係は280Kにおける強誘電転移の存在を支持する。
  • 松原 亮介, 野村 俊夫, 大橋 昇, 酒井 正俊, 工藤 一浩, 中村 雅一
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 111(236) 37-42 2011年10月11日  
    SiO_2上に成長したペンタセン多結晶薄膜における結晶構造と電子帯構造の関係を明らかにするため、放射光を用いた微小角入射X線回折を用いて、結晶子サイズと結晶の不均一歪みを評価した。その結果、回折ピークの半値幅に対する不均一歪みの影響はほとんどなく、ピーク半値幅は結晶子サイズで決まっていることが明らかになった。結晶ドメインサイズを10倍以上変化させているにもかかわらず結晶子サイズは25-50nmとほぼ一定であった。また、結晶子サイズは我々のグループが報告したHOMOバンド端ゆらぎの空間的な周期および基板表面の凹凸周期とほぼ一致していた。この結果は、SiO_2表面の微小な凹凸によって結晶子サイズが決まっており、長距離にわたって発生するペンタセンの格子の乱れによってHOMOバンド端ゆらぎが生じていることを強く示唆している。
  • 酒井 正俊, 浦部 裕亮, 山内 博, 工藤 一浩
    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2011(2) 131-131 2011年8月30日  
  • 工藤 一浩, 浦 方華, 山内 博, 酒井 正俊
    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2011(2) "S-16"-"S-17" 2011年8月30日  
  • 酒井 正俊, 小川 泰司, 飯塚 正明, 山内 博, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 111(73) 7-9 2011年5月20日  
    鉛フタロシアニン(PbPc)分子の準熱平衡条件下における結晶成長に対して、外部電界が結晶成長に与える影響を詳細に調べた。管状炉の中に配線を施したガラス基板を設置し、外部電源から直流電界を印加しながら結晶成長を行った。その結果、鉛フタロシアニン結晶は陽極側に数多く成長し、陰極側に成長する結晶の数は減少した。本実験条件では、陰極側に配向成長も見られた。このような結晶密度の差は、印加電界の増大に伴って増加した。このような電界の効果は、鉛フタロシアニン分子の分子構造に起因する分子双極子と分子四重極子モーメントによって説明することができる。
  • 宮川 慶大, 上田 昌樹, 酒巻 真粧子, 永松 伸一, 三木 達郎, 丸山 喬, 藤川 高志, 小西 健久, 酒井 正俊
    日本物理学会講演概要集 66 1001-1001 2011年  
  • 酒井 正俊, 花田 光聡, 石黒 雅人, 山内 博, 松原 亮介, 中村 雅一, 工藤 一浩
    日本物理学会講演概要集 66 840-840 2011年  
  • 野村 俊夫, 坂井 祐貴, 松原 亮介, 酒井 正俊, 工藤 一浩, 中村 雅一
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 110(243) 27-31 2010年10月15日  
    有機薄膜トランジスタ(OTFT)における電界効果キャリア移動度は、ゲート絶縁層を兼ねる基板の表面化学組成や有機薄膜の成長条件によって大きく変化することが知られている。本研究では、(1)ペンタセン多結晶薄膜を用いたOTFTにおいて、電界効果移動度が向上することが知られているSiO_2ゲート絶縁層のポリイミドコート、ならびに、(2)電界効果移動度への影響が不明確であったペンタセン層の成長速度によって、様々なキャリア輸送制限要因のうち何が変化するのかを、原子間力顕微鏡ポテンショメトリなどによって評価した。その結果、ポリイミドコートにより結晶ドメイン内のHOMOバンド端ゆらぎに変化はなく、移動度の増加は結晶ドメインサイズが増大した結果ソース-ドレイン間の高抵抗ドメイン境界の数が減ることのみによることが確認された。一方、ペンタセン成長速度を0.1〜1.0Å/sの範囲で速くするとドメイン境界部が低抵抗化することが確認され、その結果ドメインサイズが縮小するにもかかわらず電界効果移動度が向上し得ることが判明した。
  • 石黒 雅人, 伊藤 裕哉, 高原 知樹, 花田 光聡, 酒井 正俊, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 110(243) 41-45 2010年10月15日  
    有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)は、ドナー性分子であるbis(ethylenedithio)-tetrathiafulvalene(BEDT-TTF)とアクセプタ性分子である7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane(TCNQ)により形成される電荷移動錯体で、330Kで金属-絶縁体転移を起こすことが知られている。この(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶を活性層とした電界効果トランジスタを作製し、キャリア伝導特性や誘電特性の温度依存性を測定したところ、バルクには見られない特性として、285Kでの電界効果移動度の急激な増加、285K以下の温度領域における強誘電体的な分極、および強誘電体的な分極が発現する温度領域よりもさらに低温において非線形伝導を示すことを観測した。これらの結果から、(BEDT-TTF)(TCNQ)表面における電荷秩序相の存在が示唆された。また(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶の結晶構造の温度依存性を測定し、キャリア伝導特性との関連性について考察した。
  • 菊地 幸大, 山内 博, 飯塚 正明, 酒井 正俊, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 110(59) 7-10 2010年5月20日  
    シリコーン樹脂は低コスト、低温プロセスである塗布法によって成膜が可能である。本研究では、光硬化型シリコーン樹脂をゲート絶縁膜材料として用いて、積層型CMOS回路の作製し、その素子特性を調べた。この積層型構造は、従来の基板に対して平面的に作製したCMOSと比べ、素子表面積の縮小や配線長の短縮、活性層の塗り分けの容易化などといった効果が期待できる。積層型CMOS素子は、最初に基板上にトップゲート構造のZnO-TFT(nチャネル)を作製し、その上にゲート電極を共有したボトムゲート構造のペンタセン-TFT(pチャネル)を積層して作製した。作製した素子は典型的なCMOSインバータ特性を示すことを確認した。
  • 藤井 孝博, 松井 弘之, 長谷川 達生, 国吉 繁一, 酒井 正俊, 工藤 一浩, 中村 雅一
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 109(359) 51-56 2010年1月5日  
    有機薄膜トランジスタ(OTFT)において、有機半導体/ゲート絶縁膜界面のトラップ準位はTFTの動作特性・動作安定性に大きな影響を及ぼす。これに対し我々は、酸素や水分の影響を受けることなく界面のトラップ準位の定量評価が可能なin-situ電界効果熱刺激電流(FE-TSC)測定装置を開発し、有=機半導体/絶縁膜界面の評価を行なってきた。この装置を用いて、高純度ペンタセンと表面化学状態の異なる複数種のゲート絶縁膜との界面におけるトラップ準位密度分布の評価を行なったところ、絶縁膜表面化学状態によらずペンタセンHOMO上端から70-100meV上方に孤立したトラップ準位が存在していることが確認された。
  • 浦部 裕亮, 多田 喜宏, 酒井 正俊, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 109(283) 1-5 2009年11月6日  
    テトラチアフルバレン(TTF)とテトラシアノキノジメタン(TCNQ)を電界中で共蒸着し、TTF-TCNQワイヤの成長を大気側からその場観察した。この手法により、従来観測することができなかったTTF-TCNQワイヤの成長過程を視覚的に追跡した。TTF-TCNQワイヤは電界が強く、かつ陽極側で成長を開始するまでの時間が短く、また成長速度も速いことを明らかにした。その場観察により得た結果は、従来我々が提唱してきたTTF-TCNQワイヤの成長モデルと整合することを確認した。
  • 前田 悠, 高野 智輝, 山内 博, 飯塚 正明, 酒井 正俊, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2009(2) 129-129 2009年9月1日  
  • 石黒 雅人, 伊藤 裕哉, 高原 知樹, 酒井 正俊, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 109(184) 19-22 2009年8月27日  
    有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)は、ドナー性分子bis(ethylenedithio)-tetrathiafulvalene(BEDT-TTF)とアクセプタ性分子7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane(TCNQ)により形成される電荷移動錯体で、330Kで金属-絶縁体転移を起こすことが知られている。この(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶を活性層とした電界効果トランジスタを作製したところ、バルクには見られない特性として、285Kでの電界効果移動度の急激な増加を観測した。また、285K以下の温度領域において強誘電体的な分極が発現することを見出した。
  • 前田 悠, 高野 智輝, 山内 博, 飯塚 正明, 酒井 正俊, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 109(48) 61-64 2009年5月15日  
    これまで、段差を利用した縦型有機電界効果トランジスタ(段差型OFET)を作製し、高速動作について報告してきた。本研究では、高速動作可能な段差型OFETをループアンテナと一体化させたアクティブアンテナを提案する。この素子は、アンテナと一体化した段差型OFETに信号を入力することでアクティブアンテナの特性を変化させることができ、この特性をもつ素子の応用として、印刷情報タグ等を考えている。今回は、アクティブアンテナの構想と、基礎特性について検討する。
  • 酒井 正俊, 伊藤 裕哉, 高原 知樹, 中村 雅一, 工藤 一浩
    映像情報メディア学会技術報告 33(12) 23-26 2009年3月6日  
    (BEDT-TTF)(TCNQ)はドナー性分子であるbis(ethylenedithio)-tetrathiafulvalene(BEDT-TTF)とアクセプタ性分子である7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane(TCNQ)により形成される電荷移動錯体で、330Kにおいて金属-絶縁体転移を示す。この(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶を活性層とした両極性電界効果トランジスタの伝導特性を詳細に調べ、電界効果電子移動度、正孔移動度の急激な増加を280Kにおいて観測した。バルクの導電率の温度依存性にはそれに対応した増加は見られないことから、FETのチャネルに特有の現象と考えられる。また、250K〜280Kの温度領域では誘電特性の変化が伝達特性に現れ、それを解析したところ強誘電体的な分極の存在が明らかとなった。
  • 酒井 正俊, 伊藤 裕哉, 高原 知樹, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 108(469) 23-26 2009年2月27日  
    (BEDT-TTF)(TCNQ)はドナー性分子であるbis(ethylenedithio)-tetrathiafulvalene(BEDT-TTF)とアクセプタ性分子である7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane(TCNQ)により形成される電荷移動錯体で、330Kにおいて金属-絶縁体転移を示す。この(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶を活性層とした両極性電界効果トランジスタの伝導特性を詳細に調べ、電界効果電子移動度、正孔移動度の急激な増加を280Kにおいて観測した。バルクの導電率の温度依存性にはそれに対応した増加は見られないことから、FETのチャネルに特有の現象と考えられる。また、250K〜280Kの温度領域では誘電特性の変化が伝達特性に現れ、それを解析したところ強誘電体的な分極の存在が明らかとなった。
  • 酒井 正俊, 伊藤 裕哉, 高原 知樹, 石黒 雅人, 中村 雅一, 工藤 一浩
    日本物理学会講演概要集 64 770-770 2009年  
  • 酒井 正俊
    Molecular electronics and bioelectronics 19(4) 215-220 2008年11月14日  
  • 成田 幸介, 山内 博, 飯塚 正明, 国吉 繁一, 酒井 正俊, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 108(272) 1-4 2008年10月24日  
    本研究では、ウェットプロセスによる有機電界効果トランジスタ(OFET)の実用化に向け、ゲート絶縁材料の評価とOFETの大気に対する耐性の改善を行った。OFETを作製するためには、溶液の重ね塗りが必要で、ゲート絶縁層は半導体材料の溶媒に不溶である必要がある。そこで、ゲート絶縁材料として耐溶媒性に優れた材料を選択し、その電気特性を評価しFETを作製した。また、一般に有機半導体は大気中の酸素や水分の影響で電気特性が変化しやすい。半導体層を大気から遮断するために、封止材料を用いて半導体層を被覆した、大気に対する耐性の強いOFETが実現できることを示した。
  • 坂井 祐貴, 杉田 吉隆, 鈴木 貴仁, 種村 眞幸, 中山 泰生, 石井 久夫, 酒井 正俊, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 108(112) 43-48 2008年6月20日  
  • 酒井 正俊
    Molecular electronics and bioelectronics 19(2) 69-72 2008年5月30日  
  • 酒井 正俊, 伊藤 裕哉, 高原 知樹, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 108(59) 41-44 2008年5月29日  
    ドナー性分子bis(ethylenedithio)-tetrathiafulvalene(BEDT-TTF)とアクセプタ性分子7,7,8,8-tetra-cyanoquinodimethane(TCNQ)により形成される有機モット絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)は330Kで金属-絶縁体転移を示すことが知られている。(BEDT-TTF)(TCNQ)結晶を用いた両極性電界効果トランジスタに関して、約280Kにおいて電子移動度が急激に増加することを明らかにした。同じ温度領域で正孔移動度やバルクの導電率に異常は見られないことから、電界効果によって注入された電子の伝導に特有の現象と考えられる。この現象の起源についてモット転移の観点から議論した。
  • 高野 智輝, 山内 博, 飯塚 正明, 國吉 繁一, 酒井 正俊, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 108(59) 45-50 2008年5月29日  
    段差構造を利用した縦型有機電界効果トランジスタ(段差型OFET)を作製し,その静特性および動特性の評価を行った.段差型OFETは,ソースおよびドレイン電極を基板に対して斜め方向から蒸着することで,ライン状のゲート電極のエッジ部分がシャドウマスクとして働き,チャネルを形成する.チャネル長はゲート電極の膜厚程度となり,ゲート電極の膜厚を制御することで容易にチャネル長の制御が可能となる.有機半導体層にペンタセンを用い,チャネル長約1μmの素子を作製,評価した結果,50kHzという高い遮断周波数が得られた.
  • 斉藤 聡伸, 酒井 正俊, 飯塚 正明, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 107(412) 19-24 2008年1月4日  
    テトラチアフルバレン(TTF)とテトラシアノキノジメタン(TCNQ)を電界中で共蒸着し、TTF-TCNQワイヤ状結晶の電極端部と表面とで明確に異なる成長様式を観測した。このことから、TTF-TCNQワイヤ状結晶の成長機構には、印加電圧以外に電極端に起因する配向要因があると考えられる。このTTF-TCNQワイヤ状結晶中にTCNQ半導体領域が自己整合的に形成され、FET動作することを示した。このデバイスの有効チャネル長を定義する為に、AFMポテンショメトリ(AFMP)を用いて電位分布測定を行い、有効チャネル長780nmが見積もられた。また、FETの移動度とチャネル領域の構造に関する知見を得た。
  • 酒井 正俊, 伊藤 裕哉, 高原 智樹, 斉藤 聡伸, 中村 雅一, 工藤 一浩
    日本物理学会講演概要集 63 834-834 2008年  
  • 酒井 正俊
    Molecular electronics and bioelectronics 18(4) 267-274 2007年11月26日  
  • OHASHI Noboru, TOMII Hiroshi, MATSUBARA Ryousuke, SAKAI Masatoshi, KUDO Kazuhiro, NAKAMURA Masakazu
    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2007 1082-1083 2007年9月19日  
  • MATSUBARA Ryousuke, OHASHI Noboru, SAKAI Masatoshi, KUDO Kazuhiro, NAKAMURA Masakazu
    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2007 636-637 2007年9月19日  
  • 山内 博, 大橋 昇, 酒井 正俊, 渡辺 康之, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2007(2) 101-101 2007年8月29日  
  • 工藤 一浩, 酒井 正俊
    Molecular electronics and bioelectronics 18(2) 117-118 2007年6月19日  
  • 長尾 高成, 森田 修介, 酒井 正俊, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 107(47) 1-4 2007年5月11日  
    有機半導体材料のキャリアドーピング効果を調べるため、種々の有機材料についてゾーン精製を行った。そのうち最も精製の効果が顕著にみられたanthraceneについて、溶融法による無粒界結晶化と結晶電界効果トランジスタの作製を行った。ゾーン精製管中の最も精製された部分のanthraceneを用いた素子と比較して、不純物が蓄積した部分のanthraceneを用いた素子の電流は2桁ほど大きく、精製の効果が確かめられた。また、結晶電界効果トランジスタのチャネル部を覆うようにして、anthracene-p-chloranil電荷移動錯体層を形成した。こうして作製された電界効果トランジスタはambipolar特性を示した。
  • 大橋 昇, 冨井 弘, 松原 亮介, 中村 雅一, 酒井 正俊, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 107(47) 5-9 2007年5月11日  
    多結晶ペンタセン薄膜トランジスタを線形領域で動作させ、原子間力顕微鏡ポテンショメトリを用いて表面形状と動作中の表面電位分布を測定した。得られた表面像から結晶ドメイン内の分子テラスが現れた平坦部を判別し、そのような領域において表面形状に依存しない電位揺らぎが存在していることを初めて明らかにした。この電位揺らぎは、チャネル導定率に揺らぎがあることを示すものである。そこでこの電位揺らぎの起源について険討を行ったところ、価電子帯上端のエネルギーに揺らぎがあるため局所キャリア密度が変動していると仮定したモデルにより分布が無理なく説明できることが明らかになった。このときの揺らぎの半値全幅は12meVであり、この揺らぎが結晶ドメイン内でのキャリアの平均走行速度を低下させているものと思われる。
  • 酒巻 真粧子, 酒井 正俊, 小西 健久, 北上 雅敬, 金子 拓真, 荒井 礼子, 藤川 高志, 北島 義典
    日本物理学会講演概要集 62 993-993 2007年  
  • 伊藤 裕哉, 酒井 正俊, 佐久間 広貴, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術報告 IEICE Technical Report 106(439) 7-11 2006年12月11日  
    有機ドナー性分子bis(ethylenedithio)-tetrathiafulvalene(BEDT-TTF)とアクセプタ性分子7,7,8,8-tetra-cyanoquinodimethane (TCNQ)が1:1の比で形成する有機Mott絶縁体(BEDT-TTF)(TCNQ)は330Kで金属-絶縁体転移を示すことが知られている。(BEDT-TTF)(TCNQ)の結晶を活性層とする電界効果トランジスタの両極性電界効果特性とその金属-絶縁体転移点近傍における温度依存性の測定結果から、金属絶縁体転移温度近傍において異常な温度変化が電子伝導に関して見られることがわかった。
  • 宮田 晴哉, 伊丹 恒平, 酒井 正俊, 飯塚 正明, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術報告 106(183) 23-26 2006年7月20日  
    これまで我々は、基板上に形成した電極間に電界を印加しながらTTFとTCNQを共蒸着することによって、電界方向に配向したTTF-TCNQのワイヤ状結晶が成長することを報告してきた。TTF分子の蒸気圧はTCNQ分子の蒸気圧に比べて高いので、電極から成長するワイヤ状結晶はTCNQが優先的に成長し、その結果、接合部は高抵抗となる。この導電性ワイヤに通電加熱を施すことで高抵抗な接合部からTTFを脱離させ、微小な半導体領域を形成した。このような手法でナノFETを作製し、nチャネルFET動作を得た。
  • 遠藤 剛, 佐久間 広貴, 酒井 正俊, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術報告 106(183) 11-15 2006年7月20日  
    有機電荷移動錯体(BEDT-TTF)(TCNQ)は330Kで金属-絶縁体転移を示すことが知られている。これまで(BEDT-TTF)(TCNQ)の結晶を活性層とする電界効果トランジスタの両極性電界効果特性とその温度依存性について報告してきた。水素原子を重水素原子に置換したBEDT-TTF分子を用いた(d-BEDT-TTF)(TCNQ)においても同様に両極性電界効果特性は得られるが、電子蓄積電流と正孔蓄積電流の比率に差が認められた。また,これらの結晶の電界効果特性において、チャネル領域を流れる電流成分と、バルク領域を拡散する電流成分が存在することを明らかにした。
  • Ohashi N., Muraishi N., Nakamura M., SAKAI M., KUDO K.
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 106(37) 1-1 2006年5月11日  
  • 酒井 正俊, 佐久間 広貴, 中村 雅一, 工藤 一浩
    日本物理学会講演概要集 61 848-848 2006年  
  • 大谷 聡志, 飯塚 正明, 家地 洋之, 酒井 正俊, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 105(141) 11-14 2005年6月17日  
    酸化亜鉛は作製条件により、導電性から絶縁性までの電気的特性を持つ。さらに光学的には可視光領域において比較的透明性を持っている。本研究では、酸化亜鉛薄膜、ITOおよびアルミナ絶縁膜を用いて透明なMOS型電界効果トランジスタを作製し、有機LEDと組みあわせることで高効率な有機発光トランジスタを実現することを目標とした。本報告では、酸化亜鉛の作製条件とトランジスタの動作特性を調べ、有機発光トランジスタに向けた最適化を行った。酸化亜鉛薄膜を用いて作製したトランジスタのon/off比は229が得られた。また、このトランジスタにOLEDを接続して動作特性を調べたところ、ゲート電圧制御により輝度変調が観測された
  • 伊丹 恒平, 酒井 正俊, 飯塚 正明, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 105(103) 7-11 2005年5月20日  
    有機ドナー性分子TTFとアクセプタ性分子TCNQを電界下で共蒸着により成長させると、電界方向に配向した有機導体TTF-TCNQの針状結晶が成長する。この針状結晶は導電率が高く、成長のコントロールが可能であるため、有機半導体デバイスの配線材料として期待される。これまで行ってきた一連の成長制御の結果を踏まえてTTF-TCNQ有機導体ワイヤの成長機構に注目した。電界印加共蒸着中に観測される電流から、イオン化分子の電界によるドリフト運動に起因する電流成分を抽出してその電界強度、基板温度依存性を調べた。
  • 酒井 正俊, 佐久間 広貴, 飯塚 正明, 中村 雅一, 工藤 一浩
    日本物理学会講演概要集 60 804-804 2005年  
  • 佐久間 広貴, 酒井 正俊, 飯塚 正明, 中村 雅一, 工藤 一浩
    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 104(453) 59-62 2004年11月25日  
    (BEDT-TTF)(TCNQ)キャスト膜を活性層に用いた有機FETを作製しその特性を評価した。このFETは第一象限ではnチャネル特性、第三象限ではpチャネル特性を示した。またゲート電圧よりドレイン電圧が高い領域では電子・正孔の両方が薄膜内を伝導する"ambipolar"動作を示した.このFETの伝導チャネルは(BEDT-TTF)(TCNQ)三斜晶結晶のBEDT-TIFおよびTCNQから成る連続カラムで形成され、"ambipolar"動作は正孔および電子がこれらの伝導カラムに注入されることにより実現すると考えられる。また我々は、このような有機ドナー・アクセプタの積層構造において伝導特性のゲート電圧・温度依存性についても調べた。ゲート電圧を印加してソース電流の温度依存性を測定すると、ゲート電圧0Vの場合は温度低下に従って電流が単調減少し熱活性型の温度依存性を示すが、正のゲート電圧印加時には240K付近で電流値が極大値をとる。この金属的な温度依存性はゲート電圧印加により誘起されたチャネル領域の電子の伝導によるものと考えられる。
  • IECHI Hiroyuki, SAKAI Masatoshi, NAKAMURA Masakazu, KUDO Kazuhiro
    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2004 164-165 2004年9月15日  
  • 遠藤 浩幸, 酒井 裕子, 小田 敦, 酒井 正俊, 工藤 一浩
    映像情報メディア学会技術報告 28(17) 29-34 2004年3月9日  
  • 工藤 一浩, 酒井 正俊, 中村 雅一
    電子情報通信学会総合大会講演論文集 2004(2) "S-95"-"S-96" 2004年3月8日  

書籍等出版物

 5

講演・口頭発表等

 138

担当経験のある科目(授業)

 11

共同研究・競争的資金等の研究課題

 27

学術貢献活動

 6