研究者業績
  1. 研究者検索結果一覧
  2. 石谷 善博

石谷 善博

イシタニ ヨシヒロ  (Yoshihiro Ishitani)

基本情報

所属
千葉大学 大学院工学研究院 教授
学位
工学修士(1991年3月 京都大学)
博士(工学)(1999年9月 京都大学)
研究者番号
60291481
J-GLOBAL ID
200901064084165774
researchmap会員ID
1000222345
外部リンク

研究キーワード

 9

研究分野

 3

経歴

 6
もっとみる

学歴

 2

委員歴

 17
もっとみる

受賞

 7
もっとみる

論文

 151
  • S MATSUMOTO, K SHIOZAWA, Y ISHITANI, A HIRABAYASHI, T FUJIMOTO
    PHYSICAL REVIEW A 44(7) 4316-4320 1991年10月  査読有り
    Laser-induced-fluorescence spectroscopy has been applied to neon and helium-neon discharge plasmas in magnetic fields lower than 10 T. Disalignment-rate coefficients of the neon 2p2 and 2p7 atoms (2p(5)3p configuration, Paschen notation) have been determined for neon and helium collisions in a field strength that is lower than the critical field at which the collision time is equal to the inverse Larmor frequency. The 2p7 atoms have rate coefficients independent of the magnetic-field strength, whereas the 2p2 atoms have a field-dependent rate coefficient for neon collisions.

MISC

 20
  • Shigefusa F. Chichibu, Yoshinao Kumagai, Kazunobu Kojima, Momoko Deura, Toru Akiyama, Munetaka Arita, Hiroshi Fujioka, Yasufumi Fujiwara, Naoki Hara, Tamotsu Hashizume, Hideki Hirayama, Mark Holmes, Yoshio Honda, Masataka Imura, Ryota Ishii, Yoshihiro Ishitani, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Yoshihiro Kangawa, Ryuji Katayama, Yoichi Kawakami, Takahiro Kawamura, Atsushi Kobayashi, Masaaki Kuzuhara, Koh Matsumoto, Yusuke Mori, Takashi Mukai, Hisashi Murakami, Hideaki Murotani, Satoshi Nakazawa, Narihito Okada, Yoshiki Saito, Akira Sakai, Hiroto Sekiguchi, Koji Shiozaki, Kanako Shojiki, Jun Suda, Tetsuya Takeuchi, Tomoyuki Tanikawa, Jun Tatebayashi, Shigetaka Tomiya, Yoichi Yamada
    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 2019年6月  
  • 今井 大地, 石谷 善博, 王 新強, 吉川 明彦
    日本物理学会講演概要集 68(2) 859-859 2013年8月26日  
  • 今井 大地, 石谷 善博, 王 新強, 草部 一秀, 吉川 明彦
    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 112(327) 103-108 2012年11月22日  
    InNのバンド端発光効率低下を引き起こす深い準位を介したキャリア状態遷移過程について、熱活性型状態遷移過程、非輻射性再結合中心となる欠陥へのキャリア輸送過程に着目して解析を行った。禁制帯中央付近に位置する準位を介した輻射再結合が観測されたが、主要な発光効率低減過程はフォノン放出を伴う非輻射再結合であることが分かり、電子捕獲型の欠陥が非輻射再結合中心の候補と考えられる。またn型試料とp型試料の発光強度差は少数キャリア拡散長および配位場座標系に現れる状態遷移過程の支配的活性化エネルギーの違いを反映していると考えられる。InNでは非輻射再結合速度決定機構において熱活性化過程およびキャリア輸送過程が大きな影響を及ぼしている。
  • 草部 一秀, 石谷 善博, 吉川 明彦
    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 109(288) 79-82 2009年11月12日  
    InNの物性を活かした光デバイス開発には、(1)InNおよび高In組成窒化物混晶のp型伝導制御、および(2)構造的完全性の高い量子井戸構造の作製制御が必須である。我々が研究を進めてきた、p型伝導制御と1分子層InN量子井戸による新たな展開として、InN系新規受光デバイスへの応用について提案する。特に、最近注力しているInN/InGaN/GaN非対称量子井戸構造は、QCSEを抑えた発光デバイスばかりでなく、光増感型の超高効率太第3世代型太陽電池や赤外センサーなど、受光デバイスとしても興味深い。本稿では、その受光デバイス設計の考え方や特徴などについて紹介する。1分子層InN量子井戸を光増感層としたInGaNタンデム型太陽電池を構成することで、理論最大変換効率が6接合では56%(さらに250倍集光時では65%)に到達することを示す。
  • 草部 一秀, 石谷 善博, 吉川 明彦
    電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 109(289) 79-82 2009年11月12日  
    InNの物性を活かした光デバイス開発には、(1)InNおよび高In組成窒化物混晶のp型伝導制御、および(2)構造的完全性の高い量子井戸構造の作製制御が必須である。我々が研究を進めてきた、p型伝導制御と1分子層InN量子井戸による新たな展開として、InN系新規受光デバイスへの応用について提案する。特に、最近注力しているInN/InGaN/GaN非対称量子井戸構造は、QCSEを抑えた発光デバイスばかりでなく、光増感型の超高効率太第3世代型太陽電池や赤外センサーなど、受光デバイスとしても興味深い。本稿では、その受光デバイス設計の考え方や特徴などについて紹介する。1分子層InN量子井戸を光増感層としたInGaNタンデム型太陽電池を構成することで、理論最大変換効率が6接合では56%(さらに250倍集光時では65%)に到達することを示す。
もっとみる

書籍等出版物

 4

主要な講演・口頭発表等

 46
もっとみる

担当経験のある科目(授業)

 7
もっとみる

所属学協会

 3

共同研究・競争的資金等の研究課題

 16
もっとみる

産業財産権

 1

その他

 2
  • 2020年12月
    ヤンゴン工科大学およびマンダレー工科大学より51名の学生・教員が参加。ヤンゴン工科大学に設立されたMyanmar-Japan Technological Development Centerに導入されたプロセス装置や計測装置に合わせたデモンストレーションおよび学生間の研究討論を行った。
  • 2019年12月 - 2019年12月
    2019年12/16-12/21 ヤンゴン工科大およびマンダレー工科大から計１５名の学生を招聘
一覧へ戻る